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ROHM開發(fā)出適用于AI服務器等高性能服務器電源的MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向企業(yè)級高性能服務器和AI服務器電源,開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。新產品共3款機型,包括非常適用于企業(yè)級高性能服務器12V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側和熱插拔控制器(HSC)*4電路的“RS7E200BG”(30V),以及非常適用于AI服務器48V系統(tǒng)電源的AC-DC轉換電路二次側的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。隨著高級數(shù)據處理技術的進步和數(shù)字化轉型的加速,
- 關鍵字: ROHM AI服務器 服務器電源 MOSFET
東芝推出應用于工業(yè)設備的具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅動光電耦合器
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中,當下橋臂[2]關閉時,米勒電流[1]可能會產生柵極電壓,進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現(xiàn)短路等故障。常見的保護措施有,在柵極關閉時,對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si
- 關鍵字: 東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2
- 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新,全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合,推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2(G2)?技術,其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源(SMPS)開發(fā),包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
- 關鍵字: 英飛凌 CoolSiC MOSFET
如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器
- 在工業(yè)電子設備中,過壓保護是確保設備可靠運行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器,以應對長時間的過壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同,開關浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負載正常運行,而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流??煽康墓I(yè)電子設備通常配備保護電路,以防止電源線路出現(xiàn)過壓,從而保護電子設備免受損壞。過壓現(xiàn)象可能在電源線路負載快速變化時發(fā)生,線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決,比如圖
- 關鍵字: 過壓保護 開關浪涌 MOSFET
為什么超大規(guī)模數(shù)據中心要選用SiC MOSFET?
- 如今,數(shù)據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體,以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發(fā)熱量減少,從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸;因此必須提高功率密度,尤其是數(shù)據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW,增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。圖1:數(shù)據中心供電:從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數(shù)據中心行業(yè)的特定需求。人工智能數(shù)據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規(guī)范,要求30%到100
- 關鍵字: 安森美 MOSFET 數(shù)據中心
意法半導體推出采用強化版STripFET F8技術的標準閾壓40V MOSFET
- 意法半導體推出了標準閾值電壓 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產品兼?zhèn)鋸娀鏈喜蹡偶夹g的優(yōu)勢和出色的抗噪能力,適用于非邏輯電平控制的應用場景。工業(yè)級晶體管STL300N4F8和車規(guī)晶體管STL305N4F8AG的額定漏極電流高于300A,最大導通電阻 RDS(on)為1mΩ,可在高功率應用中實現(xiàn)出色的能效。動態(tài)性能得到了改進,65nC(典型值)的總柵極電荷和低電容(Ciss, Crss)確保在高開關頻率下電能損耗降至最低。MOSFET體二極管的低正向電壓和快速
- 關鍵字: 意法半導體 STripFET F8 MOSFET
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